Applied Materials 硅系統(tǒng)組內(nèi)存和材料總經(jīng)理 Er-Xuan Ping 說(shuō)：“他們正在解決 DRAM 和 NAND 的所存在的問(wèn)題。NAND 很慢，DRAM 雖然快，但卻是易失性的。”

DRAM 是易失性的，所以當(dāng)系統(tǒng)斷電時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)丟失。閃存在斷電時(shí)雖然能繼續(xù)保存數(shù)據(jù)。但在實(shí)際工作中，閃存會(huì)經(jīng)歷多輪讀/寫(xiě)周期，這個(gè)過(guò)程很慢。

總而言之，下一代內(nèi)存類(lèi)型的需要具備的特點(diǎn)是快、非易失且能提供無(wú)限的耐久性。它們還要能提供位可改寫(xiě)、免擦除的功能，從而可以作為 DRAM 和閃存的完美替代品。

這些內(nèi)存技術(shù)的問(wèn)題在于它們依靠于非同尋常的材料和復(fù)雜的開(kāi)關(guān)機(jī)制，所以下一代內(nèi)存類(lèi)型需要更長(zhǎng)的開(kāi)發(fā)時(shí)間。與此同時(shí)，內(nèi)存行業(yè)還在繼續(xù)發(fā)展DRAM 和閃存，讓新內(nèi)存類(lèi)型在市場(chǎng)上毫無(wú)立足之地。

但是，現(xiàn)在有好幾種新內(nèi)存類(lèi)型都正迎來(lái)發(fā)展好機(jī)會(huì)，其中3D XPoint 和 STT-MRAM 勢(shì)頭最盛。另外還有碳納米管 RAM、FRAM 和 ReRAM 等其它一些類(lèi)型。

沒(méi)有任何一種單一內(nèi)存類(lèi)型是全能的，可以處理所有應(yīng)用。每種技術(shù)都有不同的屬性，能夠執(zhí)行不同的功能。Lam Research 的子部門(mén) Coventor 的首席技術(shù)官 David Fried 說(shuō)：“我預(yù)測(cè)這些先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)首先會(huì)被用于能夠體現(xiàn)和利用它們的特有優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用中。”

由英特爾和美光開(kāi)發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)是下一代相變內(nèi)存。而 STT-MRAM 則使用電子自旋的磁性來(lái)提供非易失性。

碳納米管 RAM 是使用納米管來(lái)形成電阻態(tài)。而 FRAM 則是使用鐵電電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

ReRAM 與上述方法都不一樣。在多年的開(kāi)發(fā)發(fā)展中，ReRAM 曾在 2008 年變得聲名狼藉，那時(shí)候惠普公司提出了一種被稱(chēng)為憶阻器（memristor）的 ReRAM。多年以來(lái)，惠普一直都在開(kāi)發(fā)一款集成整合了憶阻器的面向未來(lái)的系統(tǒng)“The Machine”。但分析人士說(shuō)，惠普在這項(xiàng)技術(shù)上努力多年之后卻轉(zhuǎn)向了一種更加傳統(tǒng)的內(nèi)存方案，退出了憶阻器的道路。

現(xiàn)在惠普已經(jīng)和西部數(shù)據(jù)開(kāi)始合作開(kāi)發(fā)另一種 ReRAM 技術(shù)了。Adesto、4DS、Crossbar、美光、三星、松下、索尼等公司也在開(kāi)發(fā) ReRAM。

但是到目前為止，松下是唯一一家量產(chǎn) ReRAM 的公司。另外，Crossbar 也有望在今年年底之前開(kāi)始出貨 ReRAM。

其它公司都還在努力開(kāi)發(fā) ReRAM。“Adesto 一直在緩慢地出貨低密度 CBRAM，他們相信將在 2018 年實(shí)現(xiàn)大量出貨。”Web-Feet Research 首席執(zhí)行官 Alan Niebel 在談到導(dǎo)電橋接 RAM（CBRAM，這是一種 ReRAM）時(shí)說(shuō)道，“西部數(shù)據(jù)和惠普現(xiàn)在已經(jīng)陷入困境，也許能在 2019 年出貨。”

與此同時(shí)，索尼正在調(diào)整自己的 ReRAM 的開(kāi)發(fā)工作。多年來(lái)，索尼和美光一直都在合作開(kāi)發(fā) ReRAM，但美光最近退出了該項(xiàng)目。轉(zhuǎn)而開(kāi)始與英特爾合作重點(diǎn)開(kāi)發(fā) 3D XPoint，留下了沒(méi)有晶圓廠(chǎng)合作伙伴的索尼獨(dú)自開(kāi)發(fā) ReRAM。

在代工廠(chǎng)方面，臺(tái)積電、中芯國(guó)際、聯(lián)電等都正在為代工客戶(hù)開(kāi)發(fā)和/或提供 ReRAM 工藝。但 GlobalFoundries 和三星這兩家到目前為止都還沒(méi)有推出 ReRAM。

晶圓代工廠(chǎng)正在探索所有下一代內(nèi)存類(lèi)型，但它們的重點(diǎn)還是那些長(zhǎng)期看來(lái)更有可能成功的技術(shù)。GlobalFoundries 嵌入式內(nèi)存副總裁 Dave Eggleston 說(shuō)：“投資這些技術(shù)的成本很高，行業(yè)只能投資這么多。”

ReRAM 具備一些優(yōu)勢(shì)，但仍然面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。他補(bǔ)充說(shuō)：“在采用方面，ReRAM 事實(shí)上有點(diǎn)讓人失望。”


本文關(guān)鍵詞：ReRAM

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