晶圓代工四強近況如何？
2017-09-20 14:28:31
在英特爾宣布正式進入ARM芯片代工市場，并為展訊代工了14nm八核X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA后，另一IDM模式巨擘三星于日前宣布將建立一個獨立的代工或合同芯片制造業(yè)務(wù)部門，增強代工業(yè)務(wù)。全球排名前兩位的半導(dǎo)體廠商對晶圓代工市場展現(xiàn)出了巨大的興趣，那么格羅方德、臺積電、聯(lián)電及中芯國際等純晶圓代工市場上的四大巨頭又在做什么呢？
臺積電
在晶圓代工范疇，臺積電是名副其實的龍頭老大，也是英特爾和三星在代工市場上最強勁的對手。除了10nm制程工藝用于今年iPhone 8的A11芯片外，前段時間有報道稱，臺積電目前已經(jīng)在測試尖端7nm芯片產(chǎn)品，并且會在2018年量產(chǎn)，并將在一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。而臺積電5nm將會在2019年試產(chǎn)，主打移動設(shè)備和高性能計算。
在臺積電技術(shù)論壇上，臺積電首次透露了研發(fā)多年的eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）和eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存）將分別在明后年進行風(fēng)險性試產(chǎn)，主要采用22nm制程。
格羅方德
在三星和臺積電就10nm制程工藝拼個你死我活的時候，格羅方德卻毅然決定跳過10nm直攻7nm制程。雖然沒有對10nm“出手”，但格羅方德在去年推出了12nm FD-SOI工藝， 與16nm FinFET工藝對比，12nm制程能夠?qū)⒐慕档?0%，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%。不過根據(jù)早前格羅方德透露的信息，全新的12nm FD-SOI工藝在2019年才能投入量產(chǎn)。
雖然制程工藝進步的腳步趕不上臺積電，但近日一則關(guān)于全球首款5nm芯片的消息中，卻出現(xiàn)了格羅方德的身影。IBM日前宣布，與三星、格羅方德組成的聯(lián)盟已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一個全新的硅納米片晶體管，為實現(xiàn)5nm工藝奠定了基礎(chǔ)。
此外，格羅方德與成都市合作成立的合資公司格芯已經(jīng)展開建設(shè)工作，預(yù)計將于2018年年初竣工。完工后，該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產(chǎn)，進而專注于22FDX的制造，預(yù)計將于2019年開始實現(xiàn)量產(chǎn)。
聯(lián)電
聯(lián)電雖然貴為臺灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場上遠不如臺積電活躍。今年年初時，公司宣布了其自主研發(fā)的14nm FinFET工藝，已成功進入客戶芯片量產(chǎn)階段，并且良率已達先進制程的業(yè)界競爭水準(zhǔn)。在成功量產(chǎn)14nm后，聯(lián)電也啟動了廈門子公司聯(lián)芯的28nm制程量產(chǎn)計劃，目標(biāo)為大陸快速成長的中低端手機芯片市場。
中芯國際
中芯國際作為大陸晶圓代工一哥，已經(jīng)開始量產(chǎn)28nm PolySiON工藝，而對于更高級并將扮演更重要角色的28nm HKMG，中芯國際曾透露，對于HKMG平臺，今年將積極導(dǎo)入設(shè)備與試產(chǎn)，最快第三季準(zhǔn)備好產(chǎn)能，預(yù)期今年“會持續(xù)成長，但貢獻度有限”。
新任CEO趙海軍也表示過，中芯將陸續(xù)投入28nm新平臺與14nm研發(fā)的推進，預(yù)計2019年14nm投入試產(chǎn)。
另外，中芯國際也開始啟動了7nm制程工藝的研發(fā)，并與北方華創(chuàng)、中微建立了長期合作關(guān)系。
本文關(guān)鍵詞：
存儲芯片
相關(guān)文章：
PolarFire FPGA中可提供基于SRAM PUF的先進安全功能
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
了解更多關(guān)于存儲芯片知識，請關(guān)注英尚微電子：http://www.z-jue.cn
