內(nèi)存價格“狂飆”，DDR4漲幅超200%
2025-11-03 09:39:44
進入2025年，內(nèi)存市場迎來一輪“漲價風暴”，尤其DDR4內(nèi)存條價格一路走高，漲幅驚人。以常見的16GB DDR4內(nèi)存為例，其價格已突破500元大關，較年初暴漲超過兩倍。
價格走勢：從下半年開始，內(nèi)存市場便經(jīng)歷多輪漲價。進入10月，DDR4與DDR5內(nèi)存價格再度“狂飆”，部分型號價格直接翻了幾番。據(jù)媒體報道，杭州地區(qū)的內(nèi)存條一個月內(nèi)價格翻倍，原價200多元的產(chǎn)品現(xiàn)已漲至400多元，千元級內(nèi)存也逼近2000元。長沙市場同樣“漲聲一片”，部分產(chǎn)品漲幅高達200%，線上電商平臺也不例外，熱銷型號時隔數(shù)月漲幅仍超160%。
背后原因：
•AI產(chǎn)業(yè)拉動需求：隨著AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長，尤其是全球云計算服務商對內(nèi)存的需求急劇攀升。AI模型訓練與大數(shù)據(jù)處理依賴高帶寬、低延遲的內(nèi)存，推動服務器市場對DDR4/DDR5的需求激增。
•產(chǎn)能結構性調(diào)整：三星、海力士、美光三大存儲巨頭將大量晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM與DDR5，導致DDR4產(chǎn)能被擠壓，市場供應緊張。
•渠道囤貨加劇短缺：年初就有經(jīng)銷商預判漲勢，開始囤貨鎖價，民用市場流通量進一步減少。部分數(shù)據(jù)中心為保障供應，甚至一次性采購全年用量的80%，進一步推高價格。
這場由“需求拉升、供應收緊、渠道囤貨”三重因素驅(qū)動的內(nèi)存漲價潮，短期內(nèi)仍未見緩和跡象。
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