Memory 是 IC 領(lǐng)域最重要的一個(gè)領(lǐng)域。目前，這一領(lǐng)域由于其極高的技術(shù)壁壘和資本壁壘，在全球形成了極強(qiáng)的寡頭壟斷，三四家廠(chǎng)商壟斷了全球 90%以上的市場(chǎng)。

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　　近幾年，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品受益于移動(dòng)智能終端快速滲透，帶來(lái)對(duì)產(chǎn)品需求的高速增長(zhǎng)，過(guò)去三年復(fù)合增長(zhǎng)率 18%，遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體 7%的增長(zhǎng)速度，成為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力。

　　未來(lái)幾年全球 Memory 市場(chǎng)仍有望保持快速增長(zhǎng)。

       1）個(gè)人電腦與手機(jī)等移動(dòng)終端的需求旺盛，拉動(dòng)了 DRAM 產(chǎn)值的大幅增加。
?       2）智能手機(jī)與固態(tài)硬盤(pán)（SSD）將成為 NAND Flash最大需求。

       3）3D NAND Flash 成為存儲(chǔ)芯片的重要增長(zhǎng)點(diǎn)。

　　存儲(chǔ)芯片根據(jù)斷電后所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是否會(huì)丟失，可以分為易失性存儲(chǔ)器（Volatile Memory）和非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory），其中 DRAM 與 NAND Flash芯片 分別為這兩類(lèi)存儲(chǔ)器的代表。盡管存儲(chǔ)芯片種類(lèi)眾多，但從產(chǎn)值構(gòu)成來(lái)看， DRAM 與 NAND Flash 已經(jīng)成為存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。

　　
　　Memory 產(chǎn)品分類(lèi)

　　根據(jù) IHS 的統(tǒng)計(jì)，2015 年第三季度三星 DRAM 全球市場(chǎng)占有率達(dá)到 45.2%，SK海力士占有率為 27.3%，第三大廠(chǎng)商美光占有率為 20.4%，前三大龍頭合計(jì)市占率達(dá)到了 93%。在Nand Flash 市場(chǎng)上，2014 年三星市占率為 36.5%，東芝為 31.8%，海力士為 18.9%，美光為 12.8%，前四家廠(chǎng)商幾乎壟斷整個(gè)市場(chǎng)。
　　
　　SDRAM 前三家市占率超 90%
　　
　　 Nand Flash芯片 幾乎被四家廠(chǎng)商壟斷

　　總結(jié)：綜合目前國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀來(lái)看，發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，有三條路擺在我們面前：自主研發(fā)、國(guó)際并購(gòu)和兩岸合作。然而有專(zhuān)家指出，兩岸合作解決不了我國(guó)大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本性的技術(shù)問(wèn)題，從自主研發(fā)來(lái)看，似乎可以采取研究院所與企業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新的模式。國(guó)際并購(gòu)?fù)度胭Y本很大，在并購(gòu)的同時(shí)，自主研發(fā)必須同步進(jìn)行。

　　無(wú)論朝哪個(gè)方向走，發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)注定沒(méi)有捷徑，有行業(yè)人士發(fā)表觀(guān)點(diǎn)，中國(guó)存儲(chǔ)要做好長(zhǎng)期大規(guī)模投入并虧損準(zhǔn)備。