切換(或場驅動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產品將擴展到更高的密度，需要更低的能量寫比切換MRAM。2019年已發(fā)運大部分MRAM內存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運最高1Gb的芯片容量，這種內存密度使這些設備在許多應用中更受關注。

主要的嵌入式半導體制造商為工業(yè)和消費應用中使用的嵌入式產品提供MRAM非易失性存儲器選項。這些鑄造廠包括全球鑄造廠、英特爾、三星和TSMC。

STT-MRAM有很高的性能，但不如最快的靜態(tài)隨機存取存儲器快。然而一種被稱為自旋軌道轉矩(SOT)的MRAM技術有潛力匹配靜態(tài)隨機存儲器的性能。

磁性隨機存取存儲器(場或自旋器件)使用一個選擇晶體管作為存儲單元，見下圖1。MRAM單元可以具有專用晶體管，或者該晶體管可以在兩個存儲單元之間共享。在用于MRAM生產之前，必須在晶片上創(chuàng)建特定的選擇晶體管設計。
 
目前MRAM軟件技術正在世界各地的實驗室中開發(fā)，但是隨著STT-MRAM產品成本的降低，無論是嵌入式產品還是獨立產品，MRAM軟件技術都可能成為MRAM取代最快的靜態(tài)隨機存取存儲器應用的手段，提供更高的非易失性存儲器密度，從而支持非常低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應用。

Everspin代理MRAM
 

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	1,140	4,000

本文關鍵詞：MRAM  STT-MRAM

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