半導(dǎo)體設(shè)備頭龍大廠應(yīng)用材料推出新的制造系統(tǒng)，能夠以原子級的精準(zhǔn)度，進(jìn)行新式材料的沉積，而這些新材料是生產(chǎn)前述新型存儲器的關(guān)鍵。應(yīng)用材料推出最先進(jìn)的系統(tǒng)，讓這些新型存儲器能以工業(yè)級的規(guī)模穩(wěn)定生產(chǎn)。
 
臺積電近年來積極推動將嵌入式快閃存儲器（eFlash）制程改成MRAM及ReRAM等新型存儲器嵌入式制程，與應(yīng)用材料有很深的合作關(guān)系。聯(lián)電也有布局ReRAM，旺宏與IBM合作PCRAM多年且技術(shù)追上國際大廠。再者，群聯(lián)宣布采用MRAM在其NAND控制IC中。
 
MRAM采用硬盤機(jī)中常見的精致磁性材料。MRAM本來就是快速且非揮發(fā)性，就算在失去電力的情況下，也能保存軟件和資料。由于速度快與元件容忍度高，MRAM最終可能做為第三級快取存儲器中SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的替代產(chǎn)品。MRAM可以整合于物聯(lián)網(wǎng)芯片設(shè)計的后端互連層，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更小的晶粒尺寸，并降低成本。

 
ReRAM采用新材料制成，材料的作用類似于保險絲，可在數(shù)十億個儲存單元內(nèi)選擇性地形成燈絲，以表示資料。對照之下，PCRAM則采用DVD光盤片中可找到的相變材料，并藉由將材料的狀態(tài)從非晶態(tài)變成晶態(tài)，以進(jìn)行位元的編程。
 
隨著資料量產(chǎn)生呈現(xiàn)指數(shù)性遽增，云端資料中心也需要針對連結(jié)服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的資料路徑，達(dá)成這些路徑在速度與耗電量方面的數(shù)量級效能提升。ReRAM與PCRAM是快速、非揮發(fā)性、低功率的高密度存儲器，可以做為“儲存級存儲器”，以填補(bǔ)服務(wù)器DRAM與儲存存儲器之間，不斷擴(kuò)大的價格與性能落差。
 
類似于3D NAND flash存儲器型式，ReRAM和PCRAM是以3D結(jié)構(gòu)排列，而存儲器制造商可以在每一代的產(chǎn)品中加入更多層，以穩(wěn)健地降低儲存成本。
 
隨著人工智能的深度學(xué)習(xí)及機(jī)器學(xué)習(xí)、高效能運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)裝置的普及，巨量資料組成密集且復(fù)雜，除了在處理器上提供運(yùn)算效能，也需要創(chuàng)新的存儲器技術(shù)方能有效率處理資料。包括MRAM、ReRAM、PCRAM等新型存儲器，開始被市場采用，而AI/HPC將加速新型存儲器更快進(jìn)入市場。


本文關(guān)鍵詞：MRAM    

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