最近臺(tái)積電方面表示，目前正在對(duì)此前的16nm技術(shù)進(jìn)行改良，這個(gè)改良版本很有可能將使用12nm工藝制程，這也與其持續(xù)對(duì)于每一代工藝進(jìn)行改良的策略相吻合。  
      在近期的財(cái)務(wù)會(huì)議上，有分析師詢(xún)問(wèn)臺(tái)積電高層，是否真的研發(fā)了12nm，臺(tái)積電高層回應(yīng)稱(chēng)現(xiàn)在確實(shí)在研究類(lèi)似的東西，但沒(méi)有明確提到12nm，可能并不確定是否命名為12nm。
      12 nm工藝相對(duì)于如今的 16 nm來(lái)說(shuō)，不僅擁有更高的晶體管集成度，而且在性能和功耗方面得到了進(jìn)一步優(yōu)化，有較大的提升幅度。存儲(chǔ)芯片的工藝往往決定著功耗、性能和發(fā)熱等因素，而目前達(dá)到量產(chǎn)級(jí)別的最先進(jìn)工藝已經(jīng)到達(dá)了10nm級(jí)別，此前發(fā)布的驍龍835則采用了三星10nm制程工藝，而今年即將發(fā)布的新款iPhone則會(huì)使用臺(tái)積電10nm工藝。
       如今現(xiàn)已有許多信息表明，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星，在 10 nm制程工藝上都遇到了良率問(wèn)題，而這也直接導(dǎo)致采用改工藝的蘋(píng)果A10X、高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30等移動(dòng)芯片供貨緊張，這個(gè)問(wèn)題有可能會(huì)持續(xù)一整年。
臺(tái)積電的 16 nm工藝已經(jīng)研究開(kāi)發(fā)了多個(gè)版本，包括FinFET、FinFET Plus等，若推出 12 nm工藝，不僅可以在市場(chǎng)上緩解 10 nm工藝帶來(lái)的供貨緊張的問(wèn)題，而且還可以市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)上反擊三星、GlobalFoundries、中芯國(guó)際等對(duì)手的 14 納米工藝，避免訂單的流失。
       如今還無(wú)法確定該工藝的制程將何時(shí)開(kāi)始應(yīng)用，但目前擺在臺(tái)積電面前的重要問(wèn)題是：10 nm工藝的良率還進(jìn)一步提升的空間，臺(tái)積電的合作客戶產(chǎn)品包括蘋(píng)果A10X、A11、Helio X30、麒麟970等都存在一定的供需緊張問(wèn)題。

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