ram是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)、訪(fǎng)問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)的可以讀寫(xiě)的存儲(chǔ)器。幾乎所有的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和智能電子產(chǎn)品中，都是采用ram作為主存。
 
在系統(tǒng)內(nèi)部，ram是僅次于CPU的最重要的器件之一。它們之間的關(guān)系，就如人的大腦中思維與記憶的關(guān)系一樣，實(shí)際上是密不可分的。但在計(jì)算機(jī)內(nèi)部，它們卻是完全獨(dú)立的器件，沿著各自的道路向前發(fā)展。在CPU和ram之間有一條高速數(shù)據(jù)通道，CPU所要處理的數(shù)據(jù)和指令必須先放到ram中等待.而CPU也把大部分正在處理的中間數(shù)據(jù)暫時(shí)放置在ram中，這就要求ram和CPU之間的速度保持匹配。根據(jù)存儲(chǔ)單元的工作原理不同，ram分為靜態(tài)ram(SRAM)和動(dòng)態(tài)ram(Dram).
 
SRAM是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù) 說(shuō)具體點(diǎn)就是高速緩存或者說(shuō)是二級(jí)緩存。SRAM靠寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息,Dram靠MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息,需要進(jìn)行周期性的刷新操作.
 
靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)記憶信息的;動(dòng)態(tài)ram是靠MOS電路中的柵極電容來(lái)記憶信息的.由于電容上的電荷會(huì)泄漏,需要定時(shí)給與補(bǔ)充,所以動(dòng)態(tài)ram需要設(shè)置刷新電路.但動(dòng)態(tài)ram比靜態(tài)ram集成度高、功耗低,從而成本也低,
 
近幾年SRAM能發(fā)展得如此飛速，主要因?yàn)镾RAM無(wú)論在性能方面還是在質(zhì)量等方面,都近乎完美的達(dá)到了市場(chǎng)的期待值.通過(guò)不斷的創(chuàng)新,研發(fā),滿(mǎn)足新一代所應(yīng)用領(lǐng)域的需求.我司英尚微電子作為SRAM存儲(chǔ)器供應(yīng)商，可提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
 
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM,SCLPSRAC1,23LCV512

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