據外國媒體報道，自2016年下半年以來NANDFlash在市場上供不應求，主要是因為原廠全力調撥2DNANDFlash產能轉進3DNAND，但3DNAND生產良率不如預期，2DNAND供給量又因產能排擠縮小，NANDFlash市場出現缺貨現象，價格也因此直線飆升。
      但是， 3DNAND正在加速量產，今年下半年產能如果能夠順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數。
2DNANDFlash制程持續往1y／1z納米進行微縮，例如三星和SK海力士去年已轉進14 nm，西部數據（WD）和東芝進入15nm，美光導入16 nm等。但因芯片線寬線距已達物理極限，2DNAND技術發展遇到了瓶頸，用1y／1z納米生產的2DNAND不能產生成本效益，于是，NANDFlash廠開始將投資主力放在3DNAND，但也因產能出現問題，NANDFlash產出量明顯減少，導致下半年價格一路飆升。
      2016年NANDFlash價錢從第二季度開始全面上升，漲勢持續到年末，主流的SSD價格漲幅超過40%，eMMC價格漲幅最高逼近6成，完全出乎市場意料。在這樣的情況下，原廠為了維持競爭優勢，決定加速進入3DNAND市場，而今年也會成為3DNAND市場快速成長爆發的一年，產能軍備競賽可說是劍拔弩張。
      以各原廠的技術進程來看，三星上一年進度最快已成功量產3DNAND，2016年底出貨量占比已達35％，最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片，3DNAND的出貨比重將在第一季度達到45％。此外，三星不僅在西安廠全面量產3DNAND，韓國Fab17／18也將投入3DNAND量產。
      包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業者，去年是3DNAND制程轉換不順的一年，良率直到去年底才見穩定回升，生產比重均不及1成。不過，今年開始3DNAND量產情況已明顯好轉，東芝及WD已開始小量生產64層存儲芯片，今年生產主力將開始移轉至64層3DNAND，除了Fab5開始提高投片外，Fab2將在本季轉進生產64層3DNAND，Fab6新廠將動土興建并預估2018年下半年量產。
      SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產上已漸入佳境，M12廠已量產3DNAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進入小量投片，而韓國M14廠也將在今年全面進入3DNAND量產階段。
      美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進行3DNAND量產，去年底第二代64層3DNAND已順利送樣，今年將逐步進入量產，F10x廠 也會開始全面轉向進行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產3DNAND，并將在今年開始量產新一代XPoint存儲器。
 

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。

      英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。